| 发明名称 | 氮化硅层的制造方法及半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化硅层的制造方法，首先提供一衬底。接着，在衬底上形成氮化硅层。然后，在低于一大气压的压力环境中，对氮化硅层进行紫外光照射处理。藉此，可增加氮化硅层的拉伸应力。 | ||
| 申请公布号 | CN100543945C | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200510113716.3 | 申请日期 | 2005.10.14 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;蔡腾群;廖秀莲 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种氮化硅层的制造方法，包括：提供一衬底；在该衬底上形成一氮化硅层；以及在一低于一大气压的压力环境中，对该氮化硅层进行一紫外光照射处理，以增加该氮化硅层的拉伸应力，其中该紫外光的波长范围为100nm～400nm，且该紫外光包括紫外光B及紫外光C，紫外光B的波长范围在280nm～315nm，紫外线C的波长范围在100nm～280nm。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||