具有单端读出放大器的半导体器件

摘要

本发明提供了一种具有单端读出放大器的半导体器件。补偿了制造工艺、电源电压、接合点温度和造成变化的其它因素，并防止了读出放大器的操作裕度减小。具有分级位线结构的半导体存储器件中的单端读出放大器包括：第一MOS晶体管，其用于放大从存储单元输出到位线的信号；第二MOS晶体管，其用于将第一MOS晶体管的输出供给到全局位线；以及全局位线电压确定电路；并且通过包括第一MOS晶体管的复制品和全局位线电压确定电路的复制品的延迟电路的输出信号，来控制至少第二MOS晶体管的导通/截止时序或者包括全局位线电压确定电路的全局读出放大器的读取时序。

主权项

1.一种半导体器件，包括：单端读出放大器，所述单端读出放大器至少包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和全局位线电压确定电路，其中，所述第一场效应晶体管用于放大从存储单元提供到位线的信号，所述第二场效应晶体管用于将所述第一场效应晶体管的输出信号提供到全局位线；以及控制电路，所述控制电路用于基于延迟电路的输出信号，来至少控制所述第二场效应晶体管从导电状态到非导电状态的转变的时序、或者全局读出放大器的读取时序，所述全局放大器包括所述全局位线电压确定电路，所述延迟电路包括所述第一场效应晶体管的复制品和所述全局位线电压确定电路的复制品。