| 发明名称 | 真空处理装置和使用了真空处理装置的制膜方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种真空处理装置和使用了真空处理装置的制膜方法，可简单地调整制膜特性，而且可抑制各制膜室中制膜特性的差的产生，同时可降低设备成本。其特征在于，具有：多个放电电极(3a～3h)，从电源部(17a)向其两端部(53)供给高频电力，在其与基板(8)之间形成等离子体；和多个匹配器(3at～3ht)，在两端部(53)分别对供给到多个放电电极(3a～3h)上的高频电力的相位和振幅进行调整，多个匹配器(3at～3ht)的阻抗被设定为大致相同的值，阻抗值为使多个放电电极(3a～3h)之中的一个放电电极对电源部(17a)的反射功率大约成为最小的值。 | ||
| 申请公布号 | CN101542686A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200880000572.2 | 申请日期 | 2008.02.18 |
| 申请人 | 三菱重工业株式会社 | 发明人 | 川村启介;真岛浩 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张建涛;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种真空处理装置，其中，包括：多个放电电极，从电源部向馈电点供给高频电力，在其与对置电极上设置的基板之间形成等离子体；和多个匹配器，在所述各个馈电点分别对供给到该多个放电电极上的高频电力的相位和振幅进行调整，所述多个匹配器的阻抗值被设定为大致相同，所述阻抗值为使所述多个放电电极之中的一个放电电极对所述电源部的反射功率大约成为最小的值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||