磁致电阻效应元件及其制造方法

摘要

提供一种没有导电率偏差的电子器件。电子器件(100)包括：电极(2)和电极(3)；以及电连接到电极(2)和电极(3)的金属导体薄膜(7)。金属导体薄膜(7)包括金属导体部分(1)，其横跨电极(2)与电极(3)之间的间隙；金属导体部分(1)的横跨长度L不大于在电子器件(100)的操作温度下电子在金属导体部分(1)中的的平均自由程Λ。通过如下方式来形成电子器件(100)：在衬底(8)上以具有横跨长度L的间隙形成电极(2)和电极(3)；形成包括选自由纳米管和纳米布线组成的组中的至少一个并横跨电极(2)与电极(3)之间的间隙的支撑体(4)；并且通过在支撑体(4)上以及在电极(2)和(3)上淀积金属导体薄膜(7)形成金属导体部分(1)。

主权项

1、一种电子器件，包括：第一电极和第二电极；以及电连接到所述第一电极和所述第二电极的金属导体薄膜，其中，所述金属导体薄膜包括金属导体部分，其横跨从垂直于所述第一电极和所述第二电极的底表面的方向上看到的所述第一电极与所述第二电极之间的间隙；所述金属导体部分的横跨长度L不大于在所述电子器件的操作温度下所述金属导体部分中的电子的平均自由程Λ；通过下述步骤来制造所述电子器件：在衬底上以具有所述横跨长度L的间隙形成所述第一电极和所述第二电极；形成包括选自由纳米管和纳米布线组成的组中的至少一个并横跨从垂直于所述底表面的方向上看到的所述第一电极与所述第二电极之间的间隙的支撑体；通过在所述支撑体上、以及在所述第一电极和所述第二电极上淀积所述金属导体薄膜来形成金属导体部分；以及淀积所述金属导体薄膜后除去所述支撑体。