在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法

摘要

本发明涉及半导体材料生长技术领域，是一种在蓝宝石衬底上生长大尺寸高质量ZnO单晶厚膜的新工艺。该方法包括步骤：1)用金属源化学气相外延生长工艺(MVPE)在蓝宝石衬底上进行第一次生长ZnO膜；2)停止生长，对生长系统通入氢气，原位刻蚀ZnO薄膜；3)停止刻蚀，通氮气对系统进行吹扫；4)吹扫完毕后，开始第二次生长ZnO膜，得到高质量的ZnO单晶厚膜。该方法具有成本低、生长流程简便和可重复性高等特点。

主权项

1.一种生长大尺寸高质量ZnO单晶厚膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)用金属源化学气相外延生长工艺(MVPE)在蓝宝石衬底上进行第一次生长ZnO膜；2)停止生长，对生长系统通入氢气，原位刻蚀ZnO薄膜；3)停止刻蚀，通氮气对系统进行吹扫；4)停止吹扫，开始第二次生长ZnO膜，得到高质量的ZnO单晶厚膜。