| 发明名称 |
METHOD FOR GROWTH OF GaN SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PREPARATION OF GaN SUBSTRATE, PROCESS FOR PRODUCING GaN-BASED ELEMENT, AND GaN-BASED ELEMENT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1876270(A4) |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
| 申请号 |
EP20060730906 |
申请日期 |
2006.03.31 |
| 申请人 |
TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. |
发明人 |
YAO, TAKAFUMI;CHO, MEOUNG-WHAN |
| 分类号 |
C30B29/38;C23C16/34;H01L21/205;H01L33/12;H01L33/32 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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