| 发明名称 | 氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体层压结构、光半导体装置及它们的制造方法。制造具有结晶性良好、电阻率足够低的p型氮化物半导体层的氮化物半导体层压结构。在GaN基板(11)(基板)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH<sub>3</sub>形成p型Al<sub>0.07</sub>Ga<sub>0.93</sub>N层(12)(第一p型氮化物半导体层)。接着在该p型Al<sub>0.07</sub>Ga<sub>0.93</sub>N层(12)上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质以及作为V族原料的NH<sub>3</sub>和肼衍生物形成p型GaN层(13)(第二p型氮化物半导体层)。 | ||
| 申请公布号 | CN101540365A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200910126826.1 | 申请日期 | 2009.03.18 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 大野彰仁;竹见政义;富田信之 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;孙秀武 |
| 主权项 | 1.氮化物半导体层压结构，其特征在于，包括：基板，在所述基板上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质原料以及作为V族原料的NH3形成的氢浓度为1×1019cm-3以下的第一p型氮化物半导体层，和在所述第一p型氮化物半导体层上使用作为III族原料的有机金属化合物、p型杂质原料以及作为V族原料的氨和肼衍生物形成的碳浓度为1×1018cm-3以下的第二p型氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||