碳化硅功率MOS场效应晶体管及制造方法

摘要

碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以包括n型碳化硅漂移层(12)、毗邻漂移层且其中包含第一n型碳化硅区的第一p型碳化硅区(28)、漂移层上的氧化物层、以及漂移层和第一p型区一部分之间的n型碳化硅限制区(26)。限制区的载流子浓度可以高于漂移层的载流子浓度。同时还提供了制备碳化硅MOSFET器件的方法。

主权项

1、一种碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管单元，包括：n型碳化硅漂移层；与该n型碳化硅漂移层相邻的第一p型碳化硅区；第一p型碳化硅区中的第一n型碳化硅区；在n型碳化硅漂移层、第一p型碳化硅区和第一n型碳化硅区上的氧化物层；以及位于n型碳化硅漂移层和第一p型碳化硅区之间的n型碳化硅限制区，其中该n型碳化硅限制区包括与第一p型碳化硅区的底面相邻设置的第一部分以及与第一p型碳化硅区的侧壁相邻设置的第二部分，且其中n型碳化硅限制区的第一和第二部分的载流子浓度比n型碳化硅漂移层的载流子浓度高，并且其中，n型碳化硅限制区的第一部分的载流子浓度比n型碳化硅限制区的第二部分的载流子浓度高。