一种TSV通孔的绝缘层的制备方法

摘要

本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。

主权项

1、一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法，其步骤包括：1)在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；2)在上述绝缘层上淀积一有机薄膜；3)利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；4)刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；5)再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。