| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体元件包括带状多晶硅、漏极金属区块、源极金属区块、第一带状源极金属层、第一带状漏极金属层以及第一连接线。各个源极金属区块位于漏极金属区块之间，带状多晶硅则横跨漏极金属区块以及源极金属区块。第一带状源极金属层电性连接部分源极金属区块。第一带状漏极金属层则电性连接部分漏极金属区块。第一连接线耦接于带状多晶硅，其中第一连接线排列成网状。本发明还公开了一种半导体元件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101540322A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200810081976.0 | 申请日期 | 2008.03.21 |
| 申请人 | 原景科技股份有限公司 | 发明人 | 薛光博 |
| 分类号 | H01L27/085(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/085(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，包含：多条带状多晶硅；多个漏极金属区块；多个源极金属区块，其中各个源极金属区块位于两漏极金属区块之间，该带状多晶硅则横跨该漏极金属区块以及该源极金属区块；第一带状源极金属层，电性连接部分该源极金属区块；第一带状漏极金属层，电性连接部分该漏极金属区块；以及多条第一连接线耦接于该带状多晶硅，其中该第一连接线排列成网状。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南县 | ||