| 发明名称 | 宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发明，由于采用能带结构空间变化的半导体材料作为增益介质，超辐射发光二极管辐射光具有内在的非相关性，所以在较大的输出功率下，仍然可以保持较宽光谱输出。 | ||
| 申请公布号 | CN101540358A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200810102201.7 | 申请日期 | 2008.03.19 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 赵玲娟;张靖;王圩 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，其特征在于，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||