发明名称 |
堆叠式半导体存储器器件 |
摘要 |
本发明的堆叠式半导体存储器器件的目的在于减少开发多种存储器器件的成本,并且包括:具有存储单元阵列的存储单元阵列芯片、与存储单元阵列芯片堆叠在一起且具有用于改变存储单元阵列的输入/输出位配置的存储器配置切换电路的接口芯片、以及用于连接存储单元阵列芯片和接口芯片的多条芯片间接线。 |
申请公布号 |
CN100543864C |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
申请号 |
CN200510081029.8 |
申请日期 |
2005.06.28 |
申请人 |
尔必达存储器股份有限公司 |
发明人 |
斋藤英彰;萩原靖彦;深石宗生;水野正之;池田博明;柴田佳世子 |
分类号 |
G11C5/02(2006.01)I;G11C5/06(2006.01)I;G11C11/34(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C5/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱进桂 |
主权项 |
1、一种堆叠式半导体存储器器件,包括:存储单元阵列芯片,其具有存储单元阵列;与所述存储单元阵列芯片堆叠在一起的接口芯片,其具有用于改变所述存储单元阵列的输入/输出位配置的存储器配置切换电路;用于连接所述存储单元阵列芯片和所述接口芯片的多条芯片间接线;针对每一组指定数目的组成存储单元阵列的多个存储器单元而设置的多个开关,其中每个存储器单元组的输入/输出位数根据这些开关的开关状态改变;和位切换电路,用于通过切换所述多个开关的开关状态,来改变相应的存储器单元组的输入/输出位数。 |
地址 |
日本东京 |