发明名称 METHOD FOR PRODUCING A DOPED ORGANIC SEMICONDUCTING LAYER
摘要 <p>Es wird ein Verfahren bereitgestellt zur Herstellung einer dotierten organischen halbleitenden Schicht mit den Verfahrensschritten A) Bereitstellen eines Matrixmaterials, B) Bereitstellen eines Dotierstoffkomplexes, und C) gleichzeitiges Aufdampfen des Matrixmaterials und des Dotierstoffkomplexes auf ein Substrat, wobei der Dotierstoffkomplex im Verfahrensschritt C) zersetzt und der reine Dotierstoff in das Matrixmaterial eingelagert wird.</p>
申请公布号 WO2009106068(A1) 申请公布日期 2009.09.03
申请号 WO2009DE00280 申请日期 2009.02.25
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;GOEOETZ, BRITTA;DOBBERTIN, THOMAS;DIEKMANN, KARSTEN;KANITZ, ANDREAS;SCHMID, GUENTER;HUNZE, ARVID 发明人 GOEOETZ, BRITTA;DOBBERTIN, THOMAS;DIEKMANN, KARSTEN;KANITZ, ANDREAS;SCHMID, GUENTER;HUNZE, ARVID
分类号 H01L51/50 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人
主权项
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