Hoch reine alkalische Ätzenlösung für Silizium-Wafern und alkalisches Ätzverfahren eines Silizium-Wafers,申请号DE200460022125T-传众专利搜索

发明名称	Hoch reine alkalische Ätzenlösung für Silizium-Wafern und alkalisches Ätzverfahren eines Silizium-Wafers
摘要
申请公布号	DE602004022125(D1)	申请公布日期	2009.09.03
申请号	DE200460022125T	申请日期	2004.12.16
申请人	SILTRONIC AG	发明人	NISHIMURA, SHIGEKI
分类号	H01L21/306;H01L21/308;H01L21/3063	主分类号	H01L21/306
代理机构		代理人
主权项
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