以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法

摘要

一种以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法，其首先清洗半导体衬底以去除其表面的污物，然后采用化学气相沉积法在衬底表面沉积介质层，再采用化学气相沉积法在介质层上制备横向的单壁碳纳米管阵列，接着采用聚焦离子束沉积法沉积用于光刻的多个对准标记及与各碳纳米管相接触的接触电极，接着采用电子束光刻结合反应离子刻蚀法刻蚀碳纳米管以形成电极对阵列，并根据所形成的各对准标记，采用磁控溅射法及电子光刻技术在各电极对之间被刻蚀掉的碳纳米管处沉积相变材料，接着再采用离子束沉积法及电子束光刻法在已沉积相变材料的结构上沉积绝热保护区，以及制备各测试电极，由此形成低功耗的横向相变存储器。

主权项

1. 一种以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法，其特征在于包括步骤：1)清洗半导体衬底以去除所述半导体衬底表面的污物，并将所述半导体衬底烘干；2)采用化学气相沉积法在所述半导体衬底表面沉积一厚度在300～500nm的介质层；3)以铁为催化剂采用化学气相沉积法在所述介质层上制备横向的单壁碳纳米管阵列；4)采用聚焦离子束沉积法在形成了单壁碳纳米管阵列的结构上沉积用于紫外光刻和电子束光刻的多个对准标记，并使对准标记与对准标记之间具有单壁碳纳米管；5)采用聚焦离子束沉积法在所述已沉积有对准标记的结构上沉积与各碳纳米管相接触的接触电极，其中，所述接触电极包括单电极和公共电极，且单电极和公共电极相互间隔；6)采用电子束光刻结合反应离子刻蚀法刻蚀处于各单电极和公共电极之间的碳纳米管以形成电极对阵列；7)根据所形成的各对准标记，采用磁控溅射法及电子光刻技术在各电极对之间被刻蚀掉的碳纳米管处沉积相变材料；8)根据所形成的各对准标记，采用离子束沉积法及电子束光刻法在已沉积相变材料的结构上沉积绝热保护区；9)根据所形成的各对准标记，采用磁控溅射沉积及紫外光刻在沉积有绝热保护区的结构上制备与各单电极和公共电极分别连接的各测试电极，以形成具有单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器。