| 发明名称 | 一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池及其制作方法，属于微机电系统中的能源领域。本发明的结构为：光学增透膜/蓝宝石基片/P型GaN外延生长层/N型GaN外延生长层/P型GaN外延生长层/同位素放射层。本发明的制作方法首先在基底的一侧镀制一层光学增透膜，然后在基底另一侧利用金属有机物化学气象沉淀工艺，依次生长两个背靠背PN结，最后在PN结外侧固定同位素放射层。本发明克服了太阳能电池仅有光照下才可提供电能的局限；同时克服了同位素电池的功率输出小的局限；光照条件下，本发明相对同参数的同位素微电池输出功率提高10倍以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101521240A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910082827.0 | 申请日期 | 2009.04.22 |
| 申请人 | 北京理工大学 | 发明人 | 姜澜;朵英贤;李遂贤;陈海洋;王婷 |
| 分类号 | H01L31/042(2006.01)I;G21H1/06(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京理工大学专利中心 | 代理人 | 张利萍 |
| 主权项 | 1. 一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池，其特征在于结构为：光学增透膜/蓝宝石基片/P型GaN外延生长层/N型GaN外延生长层/P型GaN外延生长层/同位素放射层；其中：光学增透膜为0.2μm的SiO2薄膜；蓝宝石基片的厚度为0.1-1mm，双面抛光；内层P型GaN外延生长层的厚度为0.3-0.5μm，掺杂浓度为1016-17cm-1的Si；N型GaN外延生长层的厚度为2-5μm，掺杂浓度为1018-19cm-1的Mg；外层P型GaN外延生长层的厚度为0.2-0.5μm，掺杂浓度为1016-17cm-1的Si；同位素放射性层为63Ni金属，采用镀制法的厚度为1-2μm，采用紧固法的厚度为20-100μm。 | ||
| 地址 | 100081北京市海淀区中关村南大街5号 | ||