互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

摘要

一种互补式金属氧化物半导体图像传感器，其包括基底、光电二极管、一个p型栅极结构与多个n型栅极结构。其中，基底具有一光感测区以及一晶体管元件区。光电二极管配置于光感测区的基底中。p型栅极结构配置于晶体管元件区的基底上。多个n型栅极结构配置于晶体管元件区的基底上。

主权项

1.一种互补式金属氧化物半导体图像传感器的制造方法，包括：提供基底，该基底具有光感测区以及晶体管元件区；在该晶体管元件区的该基底中形成p型阱区；在该基底上依序形成介电层以及未掺杂多晶硅层；形成第一掩模层，以覆盖住该光感测区与部分该晶体管元件区的该未掺杂多晶硅层；进行第一离子注入工艺，将n型掺杂剂注入所暴露出的该未掺杂多晶硅层中，以形成n型多晶硅层；移除该第一掩模层；形成第二掩模层，覆盖该n型多晶硅层；进行第二离子注入工艺，将p型掺杂剂注入所暴露出的该未掺杂多晶硅层中，以形成p型多晶硅层；移除该第二掩模层；定义该介电层、该n型多晶硅层与该p型多晶硅层，以于该晶体管元件区的该p型阱区上形成多个n型栅极结构与一p型栅极结构；以及于该光感测区的该基底中形成光电二极管。