| 发明名称 | 晶圆快速冷却退火的方法和装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体衬底的退火方法。该方法包括打开至少一个热源，在加热室中加热半导体衬底，关闭所述至少一个热源，并且在所述加热室中冷却所述半导体衬底。加热半导体衬底包括由所述半导体衬底从所述至少一个热源吸收能量。此外，冷却半导体衬底包括在加热室的至少一个壁附近流动第一气体，在所述至少一个热源附近流动第二气体，以及在半导体衬底附近流动第三气体。 | ||
| 申请公布号 | CN100536089C | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200310122958.X | 申请日期 | 2003.12.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郭佳衢 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/477(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 红 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底的退火方法，所述方法包括：打开至少一个热源；在加热室中加热半导体衬底；关闭所述至少一个热源；在所述加热室中冷却所述半导体衬底；其中所述加热半导体衬底包括将所述半导体衬底的温度从第一温度值提升到第二温度值；所述冷却所述半导体衬底包括将所述半导体衬底的温度从所述第二温度值降低到第三温度值；所述加热半导体衬底包括由所述半导体衬底从所述至少一个热源吸收能量；所述冷却所述半导体衬底包括在所述加热室的至少一个壁附近流动第一气体，在所述至少一个热源附近流动第二气体，以及在所述半导体衬底附近流动第三气体；所述第一气体的第一温度低于所述第二温度值；所述第二气体的第二温度低于所述第二温度值；所述第三气体的第三温度低于所述第二温度值。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||