发明名称 |
半导体装置及其形成方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种半导体装置及其形成方法,该一种半导体接触结构包括铜插塞及复合阻障层,铜插塞是形成在介电材料中的双镶嵌、单镶嵌、或其它开口部之中,而复合阻障层是位在铜插塞及开口部的侧壁与底面之间。虽然其它适当的原子层沉积层亦可使用,但复合阻障层较佳是包含位在开口部的底面、且沿着开口部的侧边以原子层沉积层法所形成的氮化钽层,阻障材料是位在铜插塞及原子层沉积层之间;阻障层可为锰基阻障层、铬基阻障层、钒基阻障层、铌基阻障层、钛基阻障层、或其它适当的阻障层层;应用本发明的优点为,在特征尺寸持续减缩的半导体制造工业中,借着降低半导体装置中传导结构的电阻值及提高可靠度,可改善半导体装置整体速度表现。 |
申请公布号 |
CN101521175A |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200810211829.0 |
申请日期 |
2008.09.09 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
李香寰;李明翰;叶名世;余振华 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿 宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种形成半导体装置的方法,其特征在于其至少包括:利用一原子层沉积方法沉积一原子层沉积层,其中该原子层沉积层覆盖一开口部的一底面及一侧壁,且该开口部是延伸穿透一介电层;形成一锰基阻障层在该原子层沉积层上;以及沉积一铜在该开口部中,以使得该铜与该锰基阻障层相接触,并使得该铜实质填满该开口部,藉此形成一传导结构在该开口部中。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |