一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明提供了制作一种小体积高亮度，具有特殊表面几何图形的氮化镓发光二极管芯片的制造方法，这种小芯片面积为0.15×0.15mm²～0.3×0.3mm²；厚度50±10μm～80±10μm；P电极为圆形，直径φ为60mm～110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ为60mm～110mm。通过(一)外延生长、(二)蒸发透明电极、(三)刻蚀台阶、(四)钝化、(五)P、N电极制作、(六)退火、(七)参数测试、(八)研磨、切割、(九)测试分类九大工艺步骤制作一种的小芯片。本发明制作的芯片具有体积小，亮度高，生产效率高，低成本，应用范围宽等优点。

主权项

1、一种高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)由蓝宝石做衬底，经MOCVD方法生长N型A1GaN缓冲层，N型GaN外延层，P型GaN外延层，在P型GaN外延层上生长掺杂镁的P+层；(2)将透明电极材料蒸镀在P型GaN外延层上，再刻蚀P、N电极平台阶，生长钝化层；(3)依次进行光刻、蒸镀、剥离、制作P，N电极；(4)进行退火处理，形成欧姆接触后，做光电参数中间测试；(5)通过研磨控制厚度，再进行切割分开后形成芯片，测试分类；其特征在于：芯片面积为0.15×0.15mm2～0.3×0.3mm2；厚度(50～80)±10μm；P电极为圆形，直径φ＝60mm～110mm；N电极为水滴状几何图形，直径φ＝60mm～110mm。