形成凹进式通路装置的方法

摘要

本发明包含形成凹进式通路装置(180、182、184、186)的方法。提供衬底(102)以在其中具有凹进式通路装置沟渠。一对所述凹进式通路装置沟渠(110)彼此邻近。在所述凹进式通路装置沟渠内形成导电材料(144)，且在所述导电材料附近形成源极/漏极区(170、172、174、176、178、180)。将所述导电材料和源极/漏极区一起并入到一对邻近的凹进式通路装置中。在所述衬底内形成所述凹进式通路装置沟渠之后，在所述邻近的凹进式通路装置之间形成隔离区沟渠(130)，并用电绝缘材料(136)填充以形成沟渠式隔离区。

主权项

1.一种形成与半导体构造相关联的凹进式通路装置的方法，其包括：提供半导体衬底；在所述衬底内形成凹进式通路装置沟渠；用第一电绝缘材料填充所述凹进式通路装置沟渠；将所述第一电绝缘材料图案化成界定多个通路装置区的掩模，所述通路装置区是由隔离区包围的岛状物；所述通路装置区仅包括所述凹进式通路装置沟渠的若干部分；蚀刻到所述隔离区的衬底中以使所述隔离区的衬底凹进；用第二电绝缘材料覆盖所述凹进衬底以用所述第二电绝缘材料覆盖所述隔离区；去除所述第一电绝缘材料，同时留下所述第二电绝缘材料；以及在去除所述第一电绝缘材料之后，在所述凹进式通路装置沟渠的由所述通路装置区包括的所述若干部分内形成栅极材料。