发明名称 高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法
摘要 本发明涉及了一种高散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块及其制备方法。本发明采用多颗大功率发光二极管LED芯片集成在氮化铝AlN和低温共烧陶瓷LTCC叠层基板上,从衬底、粘结层和基板三个层次上提高大功率发光二极管LED芯片的散热能力。其制备方法包括如下工艺步骤:按设计确定发光二极管LED芯片颗数、烧制叠层基板和电极层、通过共晶工艺将大功率发光二极管LED芯片键合到氮化铝AlN层、线键合和硅胶灌封。本模块散热性能好,提高了多芯片集成大功率发光二极管的光效及可靠性,可应用于照明领域。
申请公布号 CN100536130C 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200710046995.5 申请日期 2007.10.12
申请人 上海大学;上海蓝宝光电材料有限公司;华东微电子技术研究所;上海半导体照明工程技术研究中心 发明人 张建华;殷录桥;马可军;陈明法;李佳
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 代理人 何文欣
主权项 1、一种散热多芯片集成大功率白光发光二极管模块,包括多个发光二极管芯片(5)、基板、电极层(3)及引线(7),其特征在于:1)所述的发光二极管芯片(5)为大功率发光二极管芯片,由P电极、N电极和SiC衬底或者激光剥离蓝宝石衬底芯片构成;2)所述的基板为叠层基板:上层为低温共烧陶瓷层(2),下层为氮化铝层(1);3)所述的电极层(3)内置在低温共烧陶瓷层(2)中;4)所述的氮化铝层(1)有表面金属层(4),通过共晶粘结层(6)与发光二极管芯片(5)键合;5)所述的氮化铝层背部有与热沉散热片连接的导热焊料层(8)。
地址 200444上海市宝山区上大路99号