| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：通过蚀刻半导体衬底来形成沟槽，用于形成器件隔离区和具有第一宽度的半导体凸起部；在沟槽和半导体凸起部上形成氧化物膜；在氧化物膜上形成绝缘层；通过抛光绝缘层和氧化物膜暴露半导体凸起部的上表面；在半导体凸起部的下部区域形成栅极绝缘层；以及蚀刻衬底上的绝缘层和氧化物膜。本发明能够精细地实现半导体器件的栅极宽度，并减少制造成本以及处理的成本和时间。 | ||
| 申请公布号 | CN100536077C | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200710136624.6 | 申请日期 | 2007.07.18 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 郑恩洙;金载熙 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：蚀刻半导体衬底以形成沟槽，用于形成器件隔离区和具有第一宽度的半导体凸起部；在所述半导体衬底上，包括在所述沟槽和所述半导体凸起部上，形成氧化物膜；在所述氧化物膜上形成绝缘层；通过抛光所述绝缘层和所述氧化物膜，暴露所述半导体凸起部的上表面；在所述半导体凸起部的下部区域形成栅极绝缘层；以及蚀刻所述绝缘层和所述氧化物膜，以暴露所述半导体衬底的上表面。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||