| 发明名称 | 绝缘性靶材及其制造方法、绝缘性复合氧化膜及装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可在与现有的烧结法相比温度非常低的环境下获得的绝缘性靶材。上述绝缘性靶材用于获得以通式AB<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>O<sub>3</sub>表示的绝缘性复合氧化膜，其中，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中的至少一种，C元素包括Nb以及Ta中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN100535177C | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200610112283.4 | 申请日期 | 2006.08.30 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 木岛健;樋口天光 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚 |
| 主权项 | 1.一种绝缘性靶材的制造方法，所述绝缘性靶材用于获得以通式AB1-xCxO3表示的绝缘性复合氧化膜，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中的至少一种，C元素包括Nb以及Ta中的至少一种，所述绝缘性靶材的制造方法的特征在于包括：形成包括以通式AB1-xCxO3表示的绝缘性复合氧化物的第一粉末的工序，以及，使所述第一粉末和包括用于形成以通式AB1-xCxO3表示的绝缘性复合氧化物的前体的第一前体组合物共存，且通过水热合成法，在所述第一粉末的粒子周围使绝缘性复合氧化物生长，从而形成第二粉末的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||