发明名称 |
一种利用外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法 |
摘要 |
本发明提供一种利用选择外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法,属于半导体集成电路制造技术领域。该方法采用SOI晶片为衬底,首先在衬底表面生长一层薄介质层,然后进行光刻和刻蚀薄介质层和SOI的半导体膜层形成半导体条,对该半导体条的中间部分进行重掺杂;然后以半导体条为衬底选择外延生长半导体膜,在半导体条的两侧形成无掺杂半导体膜;腐蚀掉半导体条顶部的薄介质层和半导体条中间的重掺杂部分,留下半导体条两侧的半导体膜和半导体条两端的未掺杂区域,以该半导体膜作为超薄Fin体,生长栅介质层和栅电极材料,制得超薄Fin体的鳍形场效应晶体管。本发明Fin体的厚度由外延工艺决定,因此Fin体厚度、Fin体形貌的均匀性都会有很大的提高和改善。 |
申请公布号 |
CN100536092C |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200710122156.7 |
申请日期 |
2007.09.21 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
张盛东;李定宇;陈文新;韩汝琦 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
1、一种利用外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法,包括以下步骤:1)采用SOI晶片为衬底,首先在衬底表面生长一层介质层,然后光刻、刻蚀该介质层和SOI的半导体膜层形成半导体条,并对半导体的中间部分进行掺杂;2)以该半导体条为衬底选择外延生长半导体材料,所述半导体条的底部和顶部均由介质覆盖,在半导体条的两侧形成无掺杂的半导体膜;3)腐蚀掉半导体条顶部的介质层,显露出半导体条自身的顶部,利用掺杂浓度不同造成的腐蚀速度差,腐蚀掉半导体条中间的掺杂部分,留下半导体条两侧的半导体膜和半导体条两端的未掺杂区域;4)以半导体条两侧的半导体膜作为Fin体,生长栅介质层和控制栅,接着光刻和刻蚀控制栅以形成栅电极图形,之后进行控制栅和源、漏区域的掺杂;5)最后是常规的CMOS后道工序,包括:生长钝化层和形成过孔以及金属化。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号 |