单边迟滞比较器

摘要

本发明公开了一种单边迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。该电路包括电流源、二个输入MOS管、三个负载MOS管和迟滞调节器，其中迟滞调节器用于调节比较器的阈值，由负载MOS管、反馈MOS管和反馈开关组成。该电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。在此基础上加入提供相应输出电压摆幅和合理输出电阻的输出级电路以及相应的反馈支路。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。

主权项

1、一种单边迟滞比较器，其特征在于：它包括第一、第二NMOS管(N1、N2)、第一、第二、第三PMOS管(P1、P2、P5)和迟滞调节器(11)，迟滞调节器(11)由负载PMOS管(P7)、反馈PMOS管(P8)和反馈开关S1构成，用于调节比较器的阈值；第一、第二NMOS管(N1、N2)对称，第一至第三PMOS管(P1、P2、P5)和负载PMOS(P7)的宽长比相等；其中，第一NMOS管(N1)管栅极作为正输入端(Vin1)，第二NMOS管(N2)管的栅极作为负输入端(Vin2)，它们的源极相连，同时接尾电流源(I1)的正端；电流源(I1)的负端接地；第一NMOS管(N1)漏极与第一PMOS管(P1)漏极相连，并连接到迟滞调节器(11)中负载PMOS管(P7)漏极以及反馈开关(S1)的负极；反馈开关(S1)的正极和反馈PMOS管(P8)的漏极相连，第一PMOS管(P1)漏级与栅级相连，成二极管连接；第二NMOS管(N2)的漏极与第二PMOS管(P2)漏极相连，同时连接到第三PMOS管(P5)的漏极；第二PMOS管(P2)漏极与其栅极相连，成二级管连接结构；第一、第三PMOS管(P1、P5)的栅极相连，迟滞调节器(11)中负载PMOS管(P7)、反馈PMOS管(P8)的栅极与第二PMOS管(P2)栅极相连；第一至第三PMOS管(P1、P2、P5)、负载PMOS管(P7)、反馈PMOS管(P8)源极相连，一起接入电源(VDD)；比较器的负输出端(VO1)从第一NMOS管(N1)的漏极引出，比较器的正输出端(VO2)从第二NMOS管(N2)的漏极引出；该反馈开关(S1)由第六PMOS管(P14)和反相器(INV3)构成，反相器(INV3)的输入端接总输出端(VOUT)，其输出端接第六PMOS管(P14)的栅级，第六PMOS管(P14)的源极和漏极分别作为反馈开关(S1)的正、负极。