一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺

摘要

本发明提供了一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺。工艺简单，易加工、生产成本低，且通过该工艺加工出的传感器芯片精度高、稳定性好。为此，本发明还提供了使用该工艺的传感器芯片。特征在于：其采用正反两面抛光的N型或P型硅基作衬底，在硅基衬底的正反两面各生长一层SiO₂和Si₃N₄组成的复合绝缘膜，在所述上层复合绝缘膜上沉积掺杂或本征厚度4μm-6μm的纳米硅层，在纳米硅层上注入N型或P型杂质后通过光刻平面工艺制作成纳米硅力敏电阻，掺浓硼或浓磷在纳米硅力敏电阻上引出内引线，蒸AL反刻引出内引线合金化，所述硅基衬底反面通过体微加工形成背大膜区和背岛，硅基衬底底部通过硅玻璃键合形成绝压腔。

主权项

1、一种改良型高灵敏度微压力传感器制作工艺，特征在于：其采用正反两面抛光的N型或P型硅基作衬底，在硅基衬底的正反两面各生长一层SiO2和Si3N4组成的复合绝缘膜，在所述上层复合绝缘膜上沉积掺杂或本征厚度4μm-6μm的纳米硅层，在纳米硅层上注入N型或P型杂质后通过光刻平面工艺制作成纳米硅力敏电阻，掺浓硼或浓磷在纳米硅力敏电阻上引出内引线，蒸AL反刻引出内引线合金化，所述硅基衬底反面通过体微加工形成背大膜区和背岛，硅基衬底底部通过硅玻璃键合形成绝压腔。