发明名称 |
在SDRAM存储若干数据的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种在SDRAM中存储若干数据的方法,其包括有以下步骤。将每份数据划分为若干大小相同的数据块,每个数据块的大小等于读取SDRAM内存储数据的BURST长度;将相邻的预定份数据的数据块依次交错存储于SDRAM的存储阵列的存储单元内。本发明通过对存储数据在SDRAM中的存储位置的排列,使得在各个MASTER对多块数据包以相似偏移量并发访问的概率比较大的SOC系统中,其可以被更有效率的访问,节省了读取时间,从而达到提高SDRAM的访问带宽,进而提高整个系统性能的目的。 |
申请公布号 |
CN101520750A |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200910081105.3 |
申请日期 |
2009.04.02 |
申请人 |
北京中星微电子有限公司 |
发明人 |
李建军;付军 |
分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海和跃知识产权代理事务所 |
代理人 |
李崧岩 |
主权项 |
1. 一种SDRAM的存储数据的方法,其中所述SDRAM包括有若干存储阵列,每个存储阵列中包括有若干存储单元,其特征在于,其包括有以下步骤:将每份数据划分为若干大小相同的数据块,每个数据块的大小等于读取所述SDRAM内存储数据的BURST长度;将相邻的预定份数据的数据块依次交错存储于所述SDRAM的存储阵列的存储单元内。 |
地址 |
100083北京市海淀区学院路35号世宁大厦15层 |