发明名称 半导体装置与分压电路
摘要 本发明涉及一种半导体装置,包括:用于在半导体芯片上配置多个单位电阻的电阻布局区域,及形成在该电阻布局区域中、用于将加载在串联电路上的电压分压输出的分压电路。分压电路包括:设有第一电阻元件、第二电阻元件及一些微调电阻元件的串联而成的串联电路,及形成在电阻布局区域之外、分别并联到微调电阻元件的一些微调熔丝。在该电路中,由第一电阻元件,第二电阻元件,及在所有微调电阻元件中具有最高电阻值的最高微调电阻元件构成3个主要电阻元件,属于各主要电阻元件的单位电阻分成多个块,各块包括预定数量的单位电阻。形成多个组,各组包括3个主要电阻元件的各一个块,邻接配置,多个组配置在接近电阻布局区域部分的地方。
申请公布号 CN101521200A 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200910004958.7 申请日期 2009.02.20
申请人 株式会社理光 发明人 后藤智幸
分类号 H01L27/01(2006.01)I;G05F1/625(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I 主分类号 H01L27/01(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 王 冉
主权项 1. 一种半导体装置,包括:一电阻布局区域,用于在半导体芯片上配置多个单位电阻;以及一分压电路,形成在该电阻布局区域中,用于将加载在串联电路上的电压分压并输出;该分压电路包括:所述串联电路,设有一个第一电阻元件,一个第二电阻元件,以及至少一个微调电阻元件,串联而成;以及至少一个微调熔丝,形成在所述电阻布局区域之外,分别并联到所述至少一个微调电阻元件;其中,由所述第一电阻元件,第二电阻元件,以及在至少一个微调电阻元件中具有最高电阻值的最高微调电阻元件构成3个主要电阻元件,属于所述各个主要电阻元件的单位电阻被分成多个块,各块包括预定数量的单位电阻;形成多个组,各组包括所述3个主要电阻元件的各一个块,邻接配置,所述多个组配置在接近电阻布局区域中央部分的地方。
地址 日本东京都