| 发明名称 | 偶氮苯液晶光全息存储材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种偶氮苯液晶光全息存储材料及其制备方法，包括二氧化硅、含偶氮苯基团化合物和含液晶基团化合物，偶氮苯基团与液晶基团的摩尔比为0.5～10∶1。偶氮苯液晶光全息存储材料使用的基质材料为二氧化硅结构，具有良好的高透光和低散射率，基质的折射率较低，与有着较高折射率的光折变化合物匹配可获得高的折射率调制度。液晶基团的存在可以强化偶氮苯基团遇光所产生的光折变效应，提高材料的衍射效率，进而增加了信息存储容量；液晶基团的规则排列不会受到热运动和非信号光的影响，数据存储时间大大延长。偶氮苯基团的顺反式异构体可在信号光的照射下相互转变，并诱导液晶基团的排列，数据可以反复擦除和写入。 | ||
| 申请公布号 | CN101521030A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910038137.5 | 申请日期 | 2009.03.24 |
| 申请人 | 中山大学 | 发明人 | 王彪;方园;滕东东;汪琨;王传志;黄卓垚 |
| 分类号 | G11B7/241(2006.01)I;C09K19/12(2006.01)I;C09K19/06(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/241(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 禹小明;邱奕才 |
| 主权项 | 1. 一种偶氮苯液晶光全息存储材料，其特征在于包括二氧化硅、含偶氮苯基团化合物和含液晶基团化合物，偶氮苯基团与液晶基团的摩尔比为0.5～10∶1。 | ||
| 地址 | 510275广东省广州市海珠区新港西路135号 | ||