| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，使用蚀刻气体蚀刻电荷存储层，通过该蚀刻气体，隧道绝缘层比电荷存储层较少地蚀刻。因此，当图案化电荷存储层时，能够防止形成在电荷存储层下的隧道绝缘层受到损伤。制造半导体器件的方法包括：提供其上形成有由绝缘材料形成的隧道绝缘层和电荷存储层的半导体衬底；在电荷存储层上形成堆叠层；图案化堆叠层以暴露电荷存储层的一部分；使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl<sub>2</sub>)气体、氯化氢(HCl)气体或其混合气体中的一种，蚀刻暴露的电荷存储层。 | ||
| 申请公布号 | CN101521157A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200810132025.1 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金忠培 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧道绝缘层和由绝缘材料形成的电荷存储层；在所述电荷存储层上形成堆叠层；图案化所述堆叠层以暴露出所述电荷存储层的一部分；和使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl2)气体、氯化氢(HCl)气体及其混合气体中的一种作为蚀刻气体，蚀刻所述暴露的电荷存储层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||