| 发明名称 | 图形形成方法以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够一边保持基板的凹凸，一边以比堆积技术低的成本以及高生产率来形成保形的膜，并形成图形的图形形成方法以及半导体装置的制造方法。该图形形成方法包括以下工序：在具有凹凸的基底层上沿着该基底层的凹凸形成催化剂膜(3)的工序；在催化剂膜(3)上涂布流动性材料而形成涂布膜(4)的工序；使涂布膜(3)沿着催化剂膜(4)进行反应，在涂布膜(4)内形成不溶解于溶剂中的不溶化层(5)工序；以及使用溶剂除去涂布膜(4)的未反应部分，而残留下不溶化层(5)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101521152A | 申请公布日期 | 2009.09.02 |
| 申请号 | CN200910006588.0 | 申请日期 | 2009.02.19 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 光冈一行;村松诚;岩下光秋 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 1. 一种图形形成方法，其特征在于，该图形形成方法包括以下工序：在具有凹凸的基底层上沿着该基底层的凹凸形成催化剂膜的工序；在上述催化剂膜上涂布流动性材料而形成涂布膜的工序；使上述涂布膜沿着上述催化剂膜进行反应，在上述涂布膜内形成不溶解于溶剂中的不溶化层工序；以及使用上述溶剂除去上述涂布膜的未反应部分，而残留下上述不溶化层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||