发明名称 半导体装置及半导体装置的制造方法
摘要 半导体装置及半导体装置的制造方法包括如下工序:准备基板(172)、与基板(172)留有间隔而配置且形成从一侧至另一侧的贯通孔的板状端子台(182)以及嵌入贯通孔并从端子台(182)突出的控制端子(153);准备第1和第2金属模,前者形成有容纳基板(172)的第1凹部的第1金属模,后者形成有容纳端子台(182)的第2凹部以及可容纳设置在第2凹部内且从端子台(182)突出的控制端子(153)的第3凹部的第2金属模;在第1凹部内配置基板(172);在第2凹部内配置端子台(182),并在第3凹部内配置控制端子(153),用端子台(182)封闭第2凹部的开口部;在由第1金属模和第2金属模夹持端子台(182)的周边部的状态,在基板(172)与端子台(182)之间充填树脂,在基板(172)上形成模塑树脂(174)。
申请公布号 CN101521167A 申请公布日期 2009.09.02
申请号 CN200810215882.8 申请日期 2008.09.05
申请人 三菱电机株式会社 发明人 筱原利彰
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 何欣亭;王小衡
主权项 1. 一种半导体装置的制造方法,其中包括如下工序:准备:基板;与所述基板相间隔而配置的、形成有从一侧至另一侧的贯通孔的板状端子台;以及嵌入所述贯通孔并从所述端子台突出的端子;准备第1金属模和第2金属模,前者形成有可容纳所述基板的第1凹部,后者形成有可容纳所述端子台的第2凹部和可容纳设于所述第2凹部内的、从所述端子台突出的所述端子的第3凹部;在所述第1凹部内配置所述基板;在所述第2凹部内配置所述端子台,同时在所述第3凹部内配置所述端子,用所述端子台封闭所述第2凹部的开口部;以及在由所述第1金属模和所述第2金属模夹持所述端子台的周边部的状态下,在所述基板与所述端子台之间充填树脂,以在所述基板上形成模塑树脂。
地址 日本东京都