发明名称 |
薄膜晶体管面板的制造方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管面板的制造方法,包含下列步骤:形成n型外延层于p型硅晶圆正面;形成薄膜晶体管结构以及透明电极于外延层内部与上表面;接合透明基板于硅晶圆正面;湿蚀刻该硅晶圆并以电化学蚀刻停止方式,除去硅晶圆并留下外延层;形成透明绝缘层于外延层下表面;蚀刻外延层曝露出透明电极。 |
申请公布号 |
CN100536117C |
申请公布日期 |
2009.09.02 |
申请号 |
CN200610162174.3 |
申请日期 |
2006.12.07 |
申请人 |
广富群光电股份有限公司 |
发明人 |
彭成鑑;戴远东 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管面板的制造方法,其特征在于:包含下列步骤:提供一硅晶圆,该硅晶圆为p型半导体材料;形成一单晶外延层于该硅晶圆正面,该单晶外延层为n型半导体材料;以该单晶外延层为导电通道形成多数个薄膜晶体管结构以及对应该多数薄膜晶体管结构的多数个透明电极;接合一透明基板于该硅晶圆正面;以电化学蚀刻除去该硅晶圆;形成一透明绝缘层于该单晶外延层下表面;及蚀刻曝露出该透明电极。 |
地址 |
台湾省新竹县 |