| 发明名称 | 晶圆的清洗方法及去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法 | ||
| 摘要 | 一种晶圆的清洗方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有隔离结构，所述晶圆上形成有氮化硅层、及位于所述氮化硅层上的氮氧化硅层；采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层；其中，所述氢氟酸溶液中，氢氟酸与水的体积比为1∶70～1∶110。本发明还提供一种去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法，包括：提供结构，所述结构形成有待去除的氮化硅层，及位于所述氮化硅层表面上待去除的氮氧化硅层；采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层；其中，所述氢氟酸溶液中，氢氟酸与水的体积比为1∶70～1∶110。 | ||
| 申请公布号 | CN102085518A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910251364.6 | 申请日期 | 2009.12.03 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 曹玉武 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I;C11D7/08(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种晶圆的清洗方法，所述方法包括：提供晶圆，所述晶圆中形成有隔离结构，所述晶圆上形成有氮化硅层、及位于所述氮化硅层上的氮氧化硅层；采用氢氟酸溶液去除氮氧化硅层；其特征在于，所述氢氟酸溶液中，氢氟酸与水的体积比为1∶70～1∶110。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||