太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提供太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池(10)，具有半导体基板(11)和形成在半导体基板(11)背面上的i型非晶半导体层(12)，其中，i型非晶半导体层(12)包括在平面视图中露出的露出部(12A)，和被p型非晶半导体层(13)和n型非晶半导体层(14)覆盖的被覆部(12B)。露出部(12A)的厚度T1比被覆部(12B)的厚度T2小。

主权项

一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基板，其具有受光面和设置在所述受光面的相反侧的背面；形成在所述背面上的实质上的本征非晶半导体层；形成在所述非晶半导体层上的p型半导体层；和形成在所述非晶半导体层上的n型半导体层，其中，所述非晶半导体层包括：从所述背面侧观看时，在平面视图中露出的露出部；和在所述平面视图中被所述p型半导体层和所述n型半导体层覆盖的被覆部，作为所述露出部的厚度的第一厚度，比作为所述被覆部的厚度的第二厚度小。