发明名称 |
一种支撑结构 |
摘要 |
本实用新型公开了一种支撑结构,用于在MOCVD过程中,将半导体衬底固定在加热基板上,其中,所述加热基板位于加热器上,该支撑结构包括底座、固定环以及多个支撑板,所述支撑板均匀分布在所述加热器与所述固定环之间,对所述固定环起支撑作用,降低了喷砂处理过程对固定环造成的影响,减弱了固定环的中部凹陷的程度,从而提高了固定环的使用期限,降低了成本。 |
申请公布号 |
CN201857426U |
申请公布日期 |
2011.06.08 |
申请号 |
CN201020564809.4 |
申请日期 |
2010.10.16 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
胡频升;计骏;汤志达;姜志磊 |
分类号 |
C23C16/458(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/458(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种支撑结构,用于将半导体衬底固定在加热基板上,其中,所述加热基板位于加热器上,其特征在于,该支撑结构包括:底座,为第一圆环柱体结构,安装于所述加热器上;固定环,为第二圆环柱体结构,位于所述底座上,其顶部高于所述加热基板的顶部,其内径等于所述加热基板的直径,且小于所述第一圆环柱体结构的内径,其外径等于所述第一圆环柱体结构的外径;以及多个支撑板,均匀分布在所述加热器与所述固定环之间。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |