| 发明名称 | 具有改进应力的中间电介质层的后端互联电路 | ||
| 摘要 | 一种集成电路结构包括第一、第二和第三金属化层。所述第一金属化层包括具有第一k值的第一电介质层和在所述第一电介质层中的第一金属连线。所述第二金属化层在所述第一金属化层上面，包括具有大于第一k值大的第二k值的第二电介质层；和在第二电介质层中的第二金属连线。所述第三金属化层在第二金属化层上面，包括具有第三k值的第三电介质层；和在第三电介质层中的第三金属连线。所述集成电路结构还包括在第三金属化层之上的底层钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN101582409B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910127010.0 | 申请日期 | 2009.03.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡豪益;刘豫文;陈宪伟;陈英儒;郑心圃 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 马铁良;张觐 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：第一金属化层，包括：具有第一k值的第一电介质层；和在所述第一电介质层中的第一金属连线；在所述第一金属化层之上的第二金属化层，所述第二金属化层包括：具有第二k值的第二电介质层，所述第二k值大于所述第一k值；和在所述第二电介质层中的第二金属连线；在所述第二金属化层之上的第三金属化层，所述第三金属化层包括：具有第三k值的第三电介质层；和在所述第三电介质层中的第三金属连线；以及在所述第三金属化层之上的底层钝化层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||