| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供采用裁切半导体基板(11)形成的半导体元件，各单元(10)具备：形成在裁切半导体基板(11)的表面上的第1半导体层(12)；形成在第1半导体层(12)上、具有露出第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)的至少一部分的开口部(16e)的第2半导体层(16)；位于第2半导体层(16)的开口部(16e)、具有与第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)接触的导电面(19s)的第1导电体(19)；以及形成在第2半导体层(16)上、具有与第2半导体层(16)的开口部(16s)对应的开口部(18e)的第2导电体(17)，在与裁切半导体基板(11)表面平行的面中，沿着裁切方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值大于沿着与裁切方向垂直的方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值。 | ||
| 申请公布号 | CN101689565B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200980000533.7 | 申请日期 | 2009.05.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 内田正雄;宇都宫和哉;桥本浩一 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种半导体元件，具有采用裁切半导体基板形成的多个单元，该裁切半导体基板具有使结晶面在规定的裁切方向上倾斜的表面，其中，各单元具有：第1半导体层，其形成在上述裁切半导体基板的上述表面上；第1导电区域，其形成在上述第1半导体层的表面上，具有第1导电型；第2导电区域，其在上述第1半导体层的上述表面中形成于上述第1导电区域的周围，具有与上述第1导电型不同的第2导电型；第2半导体层，其形成在上述第1半导体层上，具有露出上述第1导电区域、以及上述第2导电区域的至少一部分的开口部；第1导电体，其位于上述第2半导体层的开口部，具有与上述第1导电区域以及第2导电区域接触的导电面；以及第2导电体，其形成在上述第2半导体层上，具有与上述第2半导体层的上述开口部对应的开口部，在与上述裁切半导体基板的表面平行的面中，沿着上述裁切方向的上述第2半导体层和上述第2导电体的长度差的绝对值ty大于沿着与上述裁切方向垂直的方向的上述第2半导体层和上述第2导电体的长度差的绝对值tx，当将沿着上述裁切方向的上述第1导电体的上述导电面的长度和上述第2半导体层的上述开口部的长度之差的绝对值设为sy，将沿着与上述裁切方向垂直的方向的上述第1导电体的上述导电面的长度和上述第2半导体层的上述开口部的长度之差的绝对值设为sx时，ty‑tx＞sy‑sx。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||