制造硅单晶的方法

摘要

目的：在通过切克劳斯基法、利用石英坩埚制造硅单晶的方法中，在不受晶体直径及熔体初始进料量变化的影响下，以高的收率制得氧浓度分布均匀的硅单晶。结构：依据坩埚转速(Ω)、坩埚温度(T)及熔融硅与坩埚内壁接触面积及熔融硅与大气接触面积的比例(β)三个参数的关系，并通过利用石英熔入熔体内的溶解能(E)、以函数1/β×Exp(-E/T)结合温度(T)及比例(β)，通过预测生长中硅单晶中的氧浓度来调节硅单晶中的氧浓度，以控制转速(Ω)及温度(T)中的至少一个，使预测的氧浓度与目标浓度一致。

主权项

一种利用石英坩埚、通过切克劳斯基方法制造硅单晶的方法，其包括：根据坩埚转速(Ω)、坩埚温度(T)及熔融硅和坩埚内壁接触面积与熔融硅和大气接触面积的比例(β)三个参数的关系预测生长期间硅单晶中的氧浓度Op(Ω、T、β)；其中所述氧浓度Op(Ω、T、β)通过使用下式来预测：Op(Ω、T、β)＝A×F(Ω)×1/β×Exp(‑E/T)+B其中A和B是常数，F是坩埚转速(Ω)的函数，E表示石英进入硅中的溶解能，以及根据式|Op(Ω、T、β)‑Ot(β)|≤Δ来控制硅单晶中的氧浓度Op(Ω、T、β)，其中Ot是所述单晶中的目标氧浓度，而Δ是在所述单晶生长部分中氧浓度的可接受变量。