| 发明名称 | 磁头和磁存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可靠性和成品率高的磁头和磁存储装置。该磁头包含：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；在上述下部磁屏蔽层和上述上部磁屏蔽层之间形成的磁阻效应膜(3)；以及使电流在上述磁阻效应膜的膜厚方向上流动的单元，磁阻效应膜是依次形成固定层(51)、非磁性层(52)、由氧化物层构成的绝缘阻隔层(53)、自由层(54)而得到的，氧化物层中含有钛和镍中的至少一种。 | ||
| 申请公布号 | CN101609688B | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910006431.8 | 申请日期 | 2009.02.18 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 岩崎富生 |
| 分类号 | G11B5/39(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/39(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 一种磁头，其特征在于包含：下部磁屏蔽层；上部磁屏蔽层；在上述下部磁屏蔽层和上述上部磁屏蔽层之间形成的磁阻效应膜；以及使电流在上述磁阻效应膜的膜厚方向上流动的单元，上述磁阻效应膜是依次形成固定层、非磁性层、绝缘阻隔层、自由层而得到的磁阻效应膜，上述绝缘阻隔层是含有钛和镍中的至少一种且其含量为2.2at.％以上的钴氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||