达成正面电性导通的无基板半导体封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种达成正面电性导通的无基板半导体封装结构及其制作方法，其包括：一封装单元、一半导体芯片、一第一绝缘单元、一第一导电单元、一第二导电单元、及一第二绝缘单元；该封装单元具有一用于容置该半导体芯片的容置槽；该半导体芯片具有多个导电焊垫；该第一绝缘单元具有一形成于该些导电焊垫之间的第一绝缘层；该第一导电单元具有多个第一导电层；该第二导电单元具有多个成形于该些第一导电层上的第二导电层；该第二绝缘单元成形于该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间。

主权项

一种达成正面电性导通的无基板半导体封装结构，其特征在于，包括：一封装单元，其具有至少一中央容置槽；至少一半导体芯片，其容置于该至少一中央容置槽内，并且该至少一半导体芯片的上表面具有多个导电焊垫；一第一绝缘单元，其具有至少一形成于该些导电焊垫之间的第一绝缘层，以使得该些导电焊垫彼此绝缘；一第一导电单元，其具有多个第一导电层，并且其中一第一导电层成形于该第一绝缘层上且位于该至少一半导体芯片的上方，其余的第一导电层的一端分别电性连接于该些导电焊垫；一第二导电单元，其具有多个第二导电层，其中一第二导电层成形于上述位于该至少一半导体芯片上方的第一导电层上，其余的第二导电层分别成形于上述该些分别电性连接于该些导电焊垫的第一导电层上；以及一第二绝缘单元，其成形于该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间，以使得该些第一导电层彼此之间及该些第二导电层彼此之间产生电性隔绝。