提高染料掺杂有机薄膜全光开关调制深度的新方法及模型

摘要

本发明涉及一种提高染料掺杂有机薄膜全光开关调制深度的新方法。新方法的主要特点是用两束正交且相位相差180°线偏振光交替激发开关，加快开关的回复过程，从而实现了加快开关速度和提高了开关的调制深度，同时实现了在低激发功率下提高全光开关速度和调制深度的目的。本发明还提供了一种基于上述新方法的新的全光开关模型，即正交线偏振光激发染料掺杂有机薄膜全光开关模型。本发明具有全光开关响应速度明显加快、弱激发光功率和高速开关频率条件下全光开关的调制深度明显提高、正交线偏振光激发全光开关相对现有的全光开关简化了光路和调整方法的优点。

主权项

一种染料掺杂有机薄膜全光开关，其特征在于：全光开关采用两束正交且相位相差180°的线偏振光交替激发，所述的正交且相位相差180°的线偏振光由下面的光路形成：起偏器P1与检偏器P2垂直，起偏器P3与起偏器P1成45°，起偏器P4与起偏器P3成90°；He‑Ne激光，632.8nm，CW，经透镜L聚焦及起偏器P1成为线偏振光，经分束器BS1作为探测光入射到薄膜样品S上，再经检偏器P2检偏并经632.8nm滤波器滤除532nm光；半导体激光器出射的激光，532nm，CW，经分束器BS2分为两束，透射的一束经光斩波器C调制，再经起偏器P3成为线偏振光并与入射探测光的偏振方向成45°，然后经反射镜M2反射和分束器BS1反射作为激发线偏振光B1入射到薄膜样品S；另一束经反射镜M1反射和光斩波器C调制，再经起偏器P4成为线偏振光，然后经反射镜M3反射后作为激发线偏振光B2入射到薄膜样品的与B1光束照射相同的区域上，激发线偏振光B2与激发线偏振光B1的偏振方向成90°，即成正交偏振方向；调整光斩波器C的位置及光路实现对光束B1透光时对光束B2挡光，而对光束B2透光时对光束B1挡光，因此可对激发线偏振光B1和线偏振光B2实现交替调制，两束光的相位相差180°。