发明名称 用于光电子器件的故障保护器及相关方法
摘要 一种用于光电子器件的故障保护器,包含有整体体二极管的MOSFET。电容器被连接在该MOSFET的漏极和栅极之间,而电阻器被连接在该MOSFET的栅极和源极之间。MOSFET的漏极可与光电子器件的第一端子连接,而MOSFET的源极可与光电子器件的第二端子连接。该器件通过防止反向偏置电压超过制造商规定的绝对极大值,克服以前已知技术的问题,并且还防止ESD或其他与功率有关的故障避免超过激光二极管的最大正向偏置电压,同时不把显著的电阻或电容添加到该激光二极管,从而不使驱动该激光二极管的任务变复杂。
申请公布号 CN102089949A 申请公布日期 2011.06.08
申请号 CN200980126761.9 申请日期 2009.07.09
申请人 小威廉·R·本纳 发明人 小威廉·R·本纳
分类号 H02H3/20(2006.01)I 主分类号 H02H3/20(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 蒋世迅
主权项 一种电子电路,包括:增强型MOSFET,它有栅极,控制在源极和漏极之间的电流,该MOSFET包含可一同工作的体二极管;被连接在该MOSFET的漏极和栅极之间的电容器装置;被连接在该MOSFET的源极和栅极之间的电阻器装置,其中该漏极可与光电子器件的第一端子连接,以及该源极可与光电子器件的第二端子连接,该第二端子不同于第一端子。
地址 美国佛罗里达