一种发光三极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种新的发光三极管及其制备方法。该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成两个源和漏极，未改动的阴极作为栅极；该沟道的长度为5微米～30微米。本发明的三极管是一个具有FET特性的二极管，它克服现有的有机发光三极管中存在的光在边缘发射和在金属电极消光的缺点。此外与TFT驱动的发光电致二极管相比，本发明的三极管即具有电流变调的FET特性，同时也具有电光转换的OLED特性。

主权项

一种发光三极管，以有机电致发光二极管为模板，其特征在于该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道，形成一个源(1)和一个漏极(2)，该沟道的长度(3)为5微米～30微米；在源(1)和漏极(2)上覆盖有机物层；未改动的阴极作为栅极(4)，该阴极为金属电极。