发明名称 静态功耗为零适用于基准电压/电流源的启动电路
摘要 本实用新型公开一种静态功耗为零适用于基准电压/电流源的启动电路,包括一电容,及源端分别与其自身的衬底相连的第一、第二和第三P型场效应晶体管和一N型场效应晶体管,第一P型场效应晶体管的源极和第二、第三P型场效应晶体管的源极连接后与一电源电压相连,该第一P型场效应晶体管的栅端与第三P型场效应晶体管的栅端相连且其漏端与电容和第二P型场效应晶体管的栅端相连;第二P型场效应晶体管的漏端与N型场效应晶体管的栅端相连;第三P型场效应晶体管的栅端与其漏端相连后连接于N型场效应晶体管的漏端;N型场效应晶体管的源极连接于电容。本实用新型电路逻辑简单,占用了很小的芯片面积,对半导体集成制造工艺的偏差不敏感。
申请公布号 CN201859361U 申请公布日期 2011.06.08
申请号 CN201020626775.7 申请日期 2010.11.26
申请人 帝奥微电子有限公司 发明人 鞠建宏;靳瑞英
分类号 G05F3/30(2006.01)I 主分类号 G05F3/30(2006.01)I
代理机构 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人 金利琴
主权项 一种静态功耗为零适用于基准电压/电流源的启动电路,其特征在于:包括第一、第二和第三P型场效应晶体管,一N型场效应晶体管和一电容,所述第一、第二、第三P型场效应晶体管和N型场效应晶体管的源端分别与其自身的衬底相连,所述第一P型场效应晶体管的源极和所述第二、第三P型场效应晶体管的源极连接后与一电源相连,该第一P型场效应晶体管的栅端与所述第三P型场效应晶体管的栅端相连且其漏端与所述电容和第二P型场效应晶体管的栅端相连;所述第二P型场效应晶体管的漏端与所述N型场效应晶体管的栅端相连;所述第三P型场效应晶体管的栅端与其漏端相连后连接于所述N型场效应晶体管的漏端;所述N型场效应晶体管的源极连接于所述电容。
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