| 发明名称 | 刻蚀多晶硅层的工艺、MOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种刻蚀多晶硅层的工艺、MOS晶体管的形成方法。其中刻蚀多晶硅层的工艺，包括：提供形成有多晶硅层的半导体衬底；在多晶硅层上形成第一氧化层；刻蚀至少包含器件结构位置的第一氧化层，形成开口；在第一氧化层和多晶硅层上形成阻挡层；刻蚀阻挡层，在第一氧化层侧壁形成侧墙，所述侧墙位于开口内与器件结构位置对应；去除侧墙位置以外的第一氧化层；以侧墙为掩膜，刻蚀第多晶硅层，形成器件结构；去除侧墙。本发明用低成本实现高精度的多晶硅小线宽刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN102087970A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910251363.1 | 申请日期 | 2009.12.03 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王乐;张明敏;邵永军;匡金 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种刻蚀多晶硅层的工艺，其特征在于，包括：提供形成有多晶硅层的半导体衬底；在多晶硅层上形成第一氧化层；刻蚀至少包含器件结构位置的第一氧化层，形成开口；在第一氧化层和多晶硅层上形成阻挡层；刻蚀阻挡层，在第一氧化层侧壁形成侧墙，所述侧墙位于开口内与器件结构位置对应；去除侧墙位置以外的第一氧化层；以侧墙为掩膜，刻蚀第多晶硅层，形成器件结构；去除侧墙。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||