| 发明名称 | 一种新型GaAs肖特基二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种新型GaAs肖特基二极管及其制作方法，属于应用于微波器件的二极管技术领域。所述肖特基二极管包括GaAs绝缘衬底，设置于GaAs绝缘衬底上的重掺杂N型层和下电极，设置于重掺杂N型层上的N型层，设置于N型层上的介质层，设置于介质层上的上电极，其中，N型层在重掺杂N型层上形成台面结构，重掺杂N型层在GaAs绝缘衬底上形成台面结构。利用本发明提供的新型GaAs肖特基二极管，可以在不增加工艺难度的情况下，减少表面态对势垒的影响，减少反向漏电流，提高GaAs肖特基二极管的反向变容比，从而使GaAs肖特基二极管在反偏电压下表现正常的可变电容特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102088038A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910310992.7 | 申请日期 | 2009.12.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 董军荣;杨浩;田超;黄杰;张海英 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种新型GaAs肖特基二极管，包括GaAs绝缘衬底(101)，设置于所述GaAs绝缘衬底(101)上的重掺杂N型层(102)和下电极(106)，设置于所述重掺杂N型层(102)上的N型层(103)，其特征在于，所述肖特基二极管还包括介质层(104)，所述介质层(104)设置于所述N型层(103)上，所述介质层(104)上还设置有上电极(105)，其中，所述N型层(103)在所述重掺杂N型层(102)上形成台面结构，所述重掺杂N型层(102)在所述GaAs绝缘衬底(101)上形成台面结构。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||