| 发明名称 | 一种腐蚀溶液组合物、腐蚀方法及生成的硅晶片 | ||
| 摘要 | 为了解决现有技术文件腐蚀后硅晶片腐蚀面上生成二氧化硅层，影响产品的质量的问题，本发明公开了一种腐蚀溶液组合物、腐蚀方法及生成的硅晶片，本发明公开的方法包括：对硅晶片待腐蚀面进行物理研磨，采用体积比例为1∶5∶5，浓度依次为48.5％-49.5％、69％-71％和99.3％-100％的氢氟酸、硝酸和醋酸组成的组合物对研磨面进行腐蚀生成腐蚀面，正是由于采用上述的组合物对研磨面进行腐蚀，进而避免腐蚀面上生成二氧化硅层，提高了硅晶片的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN102086519A | 申请公布日期 | 2011.06.08 |
| 申请号 | CN200910242300.X | 申请日期 | 2009.12.08 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 林国胜 |
| 分类号 | C23F1/24(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种腐蚀溶液组合物，其特征在于，由氢氟酸、硝酸和弱酸组成。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||