簇状半导体加工设备

摘要

一种簇状半导体加工设备，其包括具有多边形底座的晶片操作室，从晶片操作室轴线的方向观察，多边形底座包括晶片工艺处理室的多个侧面和晶片装料/卸料室的两个相邻侧面。角度A大于角度B，其中角度A是晶片工艺处理室多个侧面的两个相邻侧面之间的角度，角度B是通过用360°除以总侧面的数量计算得出，总侧面是由晶片工艺处理室的多个侧面和晶片装料/卸料室的两个相邻侧面所组成的。

主权项

一种簇状半导体加工设备，包括：晶片操作室，其具有多边形底座，从所述晶片操作室的轴线方向观察，多边形底座包括晶片工艺处理室的多个侧面和晶片装料/卸料室的两个相邻侧面，所述多个侧面包括用于维修的空侧面，其中从所述晶片操作室的轴线方向观察，晶片工艺处理室的所述多个侧面和晶片装料/卸料室的所述两个相邻侧面中的每一个侧面与通过所述晶片操作室的轴线和每一个侧面中心的直线相垂直地布置，其中晶片工艺处理室的所述多个侧面的两个相邻侧面形成角度A，角度A是在这样的两条直线之间测量出的，一条直线是通过所述晶片操作室的轴线和晶片工艺处理室的所述两个相邻侧面之一的中心的直线，另一条直线是通过所述晶片操作室的轴线和晶片工艺处理室的所述两个相邻侧面之另一个侧面的中心的直线，其中所述角度A大于角度B，角度B是通过用360°除以总侧面的数量计算得出，总侧面是由晶片工艺处理室的所述多个侧面和晶片装料/卸料室的所述两个相邻侧面所组成的，其中从所述晶片操作室的轴线到晶片装料/卸料室的所述两个相邻侧面中的每一个侧面的距离大于从所述晶片操作室的轴线到晶片工艺处理室的所述多个侧面中的每一个侧面的距离，其中所述簇状半导体加工设备进一步包括连接至除了一个用于维修的空侧面之外的、晶片工艺处理室的相应侧面的晶片工艺处理室，其中用于维修的所述空侧面是与晶片装料/卸料室的所述两个相邻侧面相对地定位的，其中多个晶片工艺处理室相对于通过所述晶片操作室的轴线并且通过晶片装料/卸料室的所述两个相邻侧面之间的中心线被布置在两侧，这里从所述晶片操作室的轴线方向观察，所述多个晶片工艺处理室在每一侧的最外面的部分被排成平行于所述中心线的直线。